采用單晶硅壓阻技術,性能穩定,精度可達 0.05%FS;
最高 100:1 量程比,測量范圍調整靈活;
采用高性能 EMC 防護電路模塊,有效降低電磁擾動對產品的輸出影響;
穩定性(xing)強可達 ±0.1%SPAN/5 年。
采用單晶硅壓阻技術,性能穩定,精度可達±0.075%FS + 隔膜系統的影響;
高過載保護膜片,實現大壓力過載保護功能;
采(cai)用高性能 EMC 防護電路模塊,有(you)效降(jiang)低電磁擾動對產品(pin)的(de)輸出(chu)影(ying)響。
采用單晶硅壓阻技術,性能穩定,精度可達0.075%FS + 隔膜系統的影響;
高過載保護膜片,實現大壓力過載保護功能;
采用高性能 EMC 防(fang)護電路模塊,有(you)效降低電磁擾動對產品的(de)輸(shu)出影響。
采用單晶硅壓阻技術,性能穩定,精度可達0.1%FS;
高過載保護膜片,實現大壓力過載保護功能;
采(cai)用高性能 EMC 防護電路(lu)模塊(kuai),有效降低(di)電磁擾動對產(chan)品的輸出影響。
采用單晶硅壓阻技術,性能穩定,精度可達0.075%FS;
高過載保護膜片,實現大壓力過載保護功能;
采用高性能 EMC 防護電路模塊,有效降低電磁擾動對產品的輸出影響;
穩定(ding)性強可達 ±0.1%SPAN/5 年(nian)。